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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaMT53E256M16D1DS-046 WT:B
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
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MT53E256M16D1DS-046 WT:B - Micron Technology Inc.

fabbricante Modello di prodotti
MT53E256M16D1DS-046 WT:B
fabbricante
Micron Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-MT53E256M16D1DS-046 WT:B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA
Pacchetto
Scheda dati
MT53E256M16D1DS-046 WT:B.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4966

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MT53E256M16D1DS-046 WT:B
Specifiche tecniche Micron Technology Inc. - MT53E256M16D1DS-046 WT:B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Micron Technology Inc. - MT53E256M16D1DS-046 WT:B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Micron Technology  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -  
Tensione di alimentazione - 1.1V  
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4  
Serie -  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 4Gbit  
Organizzazione di memoria 256M x 16  
Interfaccia di memoria -  
Formato di memoria DRAM  
Frequenza dell'orologio 2.133 GHz  
Numero di prodotto di base MT53E256  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0036

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 WT:B

Proprietà del prodotto MT53E256M16D1DS-046 WT:B MT53E1G32D4NQ-046 WT:E MT53E256M32D2DS-046 IT:B MT53E1G32D2NP-053 RS WT:A
Modello di prodotti MT53E256M16D1DS-046 WT:B MT53E1G32D4NQ-046 WT:E MT53E256M32D2DS-046 IT:B MT53E1G32D2NP-053 RS WT:A
fabbricante Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Serie - - - -
Pacchetto Tray Box Tray Bulk
Organizzazione di memoria 256M x 16 1G x 32 256M x 32 -
Tensione di alimentazione - 1.1V 1.1V 1.1V -
Numero di prodotto di base MT53E256 MT53E1G32 MT53E256 -
Tipo di memoria Volatile Volatile Volatile -
Interfaccia di memoria - - - -
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 -
Formato di memoria DRAM DRAM DRAM -
Frequenza dell'orologio 2.133 GHz 2.133 GHz 2.133 GHz -
Dimensione della memoria 4Gbit 32Gbit 8Gbit -
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina - - - -
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -40°C ~ 95°C (TC) -

MT53E256M16D1DS-046 WT:B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MT53E256M16D1DS-046 WT:B PDF e la documentazione Micron Technology Inc. per MT53E256M16D1DS-046 WT:B - Micron Technology Inc..

Assemblaggio/origine PCN
Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020.pdf
PCN Design/Specifica
Memory 24-May-2022.pdf
Packaging PCN
Tray 05-May-2022.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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MT53E256M16D1DS-046 WT:B

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